IGBT
IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor) ， 是由BJT(雙極結型晶體三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型-電壓驅動式-功率半導體器件。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優點， 如驅動功率小和飽和壓降低等。
IGBT是目前最主流、最核心的功率半導體器件，代表了功率半導體的最高技術水平，被稱為電力電子領域的“CPU”。
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賽晶亞太半導體科技（浙江）有限公司（以下簡稱“賽晶半導體”），是賽晶科技集團有限公司旗下子公司，是一家專注于IGBT、FRD，以及碳化硅等芯片和模塊等高端功率半導體產品研發和制造的高科技企業。
賽晶半導體的研發中心位于瑞士蘭茲伯格。研發團隊，由來自歐洲領軍企業的技術專家組成，在芯片設計、制造工藝、生產線建設和管理等IGBT生產的全部流程，均具備國際最先進的技術水平和成功經驗。
賽晶半導體的制造中心位于中國浙江省嘉善縣。制造中心的一期項目占地2.2萬平米，二期項目占地5萬平米，規劃建設多條具有國際一流水平的全自動智能IGBT生產線，以及國內技術中心。
賽晶半導體致力于促進能源向更加可持續、更加綠色方向發展，推動自然能源轉化為綠色的電力能源。
賽晶半導體子公司官網：https://www.swiss-sem.com/
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我們的研發團隊，由在功率半導體領域擁有優秀業績和幾十年實踐經驗的行業領導者組成。憑借我們共同超過一個世紀的行業經驗，我們將致力于用商業激發和實施可持續解決方案，為實現未來的可持續發展而奮斗。
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